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1 石墨烯系统兼容、常压、微正压多种主流的生长模式
2 石墨烯系统可以在1000Pa-0.1Pa之间任意气压下进行石墨烯的生长
3 使用计算机控制,可以设置多种生长参数
4 可以制备高质量,大面积石墨烯等碳材料,尺寸可达数厘米,研究动力学过程
5 沉积效率高;薄膜的成分精确可控,配比范围大;厚度范围广,由几百埃至数毫米,可以实现厚膜沉积且能大量生产
产品性:
PECVD系统是借助射频使含有薄膜组成原子的气体电离,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。
产品组成:
PECVD系统配置:
1.1200度开启式双温区真空管式炉
2.等离子射频电源
3.多路质量流量控制系统
4.真空系统(可选配中真空或高真空)
产品特点:
生长温度低;沉积速率快;成膜质量好,适用范围广,设备简单。
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